Datasheet下载- 型号： IPD09N03LB G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD09N03LB G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD09N03LB G价格参考。InfineonIPD09N03LB G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD09N03LB G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD09N03LB G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为 IPD09N03LB G 的 MOSFET 属于功率场效应晶体管，常用于需要高效能与高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点，适用于以下主要应用场景： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高能效和减小系统体积。 2. 电机驱动：应用于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）中的电机控制电路，提供高效、快速的开关控制。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关用于控制电源分配，如在服务器、工业控制系统中管理不同模块的供电。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，保障电池组安全高效运行，常见于电动自行车、储能系统和UPS（不间断电源）中。 5. 汽车电子：由于其高可靠性和符合AEC-Q101汽车级标准，可用于车载充电器、车身控制模块等场景。 综上，IPD09N03LB G广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域，适合中低电压、中高功率的高效开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD09N03LB_v1.55_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a178842a2 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD09N03LB G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD09N03LBGXT |
| 功率-最大值 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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